Вопрос в первую очередь к товарищам, имеющим отношение к полупроводникам.
Весной меня поразили цифры по ценам солнечных батарей для космического применения:
Арсенид-галлиевые - 1 млн. $ за кВт
Кремниевые - 500 000 $ за кВт Это буржуинские. Наши кремниевые дешевле, около
120 000 за кВт, а GaAs у нас вообще не делают.
Что арсенид-галлиевые батареи, вообще говоря, лучше - понятно: у них выше радиационная стойкость (чуть ли не в сотни раз) и меньше масса на киловатт, т.к. несколько выше КПД. Но почему они аж вдвое дороже, и почему в России их не выпускают вообще?! Неужели работать с арсенидом галлия настолько сложнее, чем с кремнием?
Как известно, наиболее чувствителен к радиации p-n переход (в принципе еще стёклышки мутнеть могут и т.п., но именно переход наиболее уязвим - причём n-p переход более устойчив, чем p-n).
Пролистывая Бьюба и Фаренбруха, обнаружил упоминание о том, что электрическое поле, приложенное к p-n переходу, может существенно повысить радиационную стойкость фотоэлемента. Возникает вопрос: почему же этим не пользуются?
Сейчас у буржуев уже летают трёхкаскадные СБ, и работают над четырёхкаскадными, с повышенными КПД. Все - арсенид-галлиевые.
У нас, похоже, и до трёхкаскадных далеко.
Вопрос: а что, на кремнии такие структуры создавать проблематично? Или же смысла нет?